رو نمایی از حافظه‌های HBM2E سامیونگ

سامسونگ حافظه‌های HBM2E خود با پهنای باند 1.64TB/s را رونمایی کرد

لینک فروش سوئیچ های سیسکو 

سامسونگ حافظه‌های جدید HBM2E خود با نام Flashbolt را معرفی کرد. این حافظه‌ها نسل بعدی حافظه‌های HBM با پهنای باند بسیار بالا و ظرفیت تراشه‌ی ۲ گیگابیت است.

سامسونگ در کنفرانس فناوری پردازنده‌های گرافیکی انویدیا (GTC)، حافظه‌های پهن‌باند HBM جدیدش با نام فلش‌بولت (Flashbolt) را رونمایی کرد. حافظه‌ی فلش‌بولت اولین محصول صنعتی است که منطبق بر مشخصه‌های استاندارد HBM2E است. HBM2E استانداردی است که در آن پهنای باند به‌ازای هر پین تا ۳۳ درصد افزایش می‌یابد و از ۲.۴ به ۳.۲ گیگابیت‌برثانیه می‌رسد. در این استاندارد، ظرفیت هر تراشه‌ی DRAM حداکثر ۱۶ گیگابیت (۲ گیگابایت) است که این میزان دوبرابر استاندارد قبلی HBM2 است. بدین‌ترتیب هر پکیج یا استک (Stack) حافظه‌ی فلش‌بولت با پهنای باس ۱۰۲۴ بیتی و پهنای باندی تا ۴۱۰ گیگابایت‌برثانیه و ۱۶ گیگابایت گنجایش حافظه را در پیکربندی استک ۸ سطحی (8Hi) ارائه خواهد کرد.

هدف شرکت سامسونگ استفاده از این محصول در مراکز داده‌ی نسل بعد، AI/ML و کارت‌های گرافیک است. در این روش، با استفاده از ۴ استک حافظه و با بهره‌مندی از یک پهنای باس حافظه‌ی درمجموع ۴۰۹۶ بیتی، حداکثر پهنای باند و ظرفیت ذخیره‌سازی ۴ استک حافظه درمجموع، برابر با رقم چشمگیر ۱.۶۴ ترابایت‌برثانیه و ۶۴ گیگابایت خواهد بود.

برای مقایسه بهتر است بدانید انویدیا در رویداد GTC سال گذشته، کارت شتاب‌دهنده‌ی گرافیکی سرور Tesla V100 را به نسخه‌ای از حافظه‌ی HBM2 با ظرفیت ۳۲ گیگابایت و سرعت ۱.۷۵ گیگابیت‌برثانیه به‌روزرسانی کرد. بدین‌ترتیب، پهنای باند حافظه‌ی این کارت معادل ۹۰۰ گیگابایت‌برثانیه است.

کارت گرافیک AMD Radeon VII با فناوری ساخت ۷ نانومتری، ۴ پکیج HBM2 با سرعت انتقال داده‌‌ای معادل ۲ گیگابیت‌برثانیه دارد که پهنای باند در آن افزون‌بر یک ترابایت‌برثانیه است.

اطلاعات مختصری از محصول فلش‌بولت ارائه شده و ولتاژ کاری یا فناوری ساخت آن همچنان مشخص نیست. سال گذشته، حافظه‌ی آکوابولت (Aquabolt) با ولتاژ کاری ۱.۲ ولت و فناوری ساخت تراشه‌ی حافظه‌ی ۲۰ نانومتری عرضه شد. البته، پهنای باس مؤثر به‌ازای هر پکیج در هر دوِ این حافظه‌ها ۱۰۲۴ بیت است.

به‌طورکلی، حافظه‌های HBM با انباشت چند تراشه‌ی DRAM روی یکدیگر و ایجاد اتصال میان این تراشه‌ها با استفاده از لحیم‌کاری TSV ساخته شده؛ بنابراین، توان مصرفی کمتر و توان پرینت کمتری درمقایسه‌با حافظه‌های DDR4 و GDDR6 دارد. تراشه‌ی HBM به‌دلیل تعداد زیاد پین‌ها معمولا ازطریق Interposer به Die محاسباتی متصل می‌شود. این سازوکار باتوجه‌به هزینه‌بربودن آن باعث می‌شود از این حافظه‌ها فقط در سخت‌افزارهای سطح‌بالا استفاده شود. افزون‌براین، شرکت اینتل در محصولات Stratix 10 FPGA و Kaby Lake-G از فناوری EMIB اختصاصی خود برای اتصال حافظه به FPGA یا GPU استفاده می‌کند.

سامسونگ هنوز صحبتی درباره‌ی حجم تولید محصول حافظه‌ی جدید HBM2E نکرده؛ اما منطقی است بپنداریم این حافظه‌های پهن‌باند سرانجام راه خود را به محصولات گرافیکی ۷ نانومتری نسل بعدی بازکنند.

اخبار شبکه های کامپیوتری، شبکه های کامپیوتری، نصب و راه اندازی شبکه های کامپیوتری، پشتیبانی شبکه های کامپیوتری،پشتیبانی شبکه، شرکت پشتیبانی شبکه، قرارداد پشتیبانی شبکه، خدمات شبکه، راه اندازی شبکه، شرکت نصب و راه اندازی شبکه های کامپیوتری، نصب شبکه، راه اندازی شبکه، پشتیبانی شبکه، فروش سوئیچ سیسکو، سیسکو ریفر،  فروش سرور اچ پی، سرور اچ پی dl380، سرور اچ پی dl360، سرور رکمونت اچ پی، سرور HP، راه اندازی سرور اچ پی، فروش سرور HP، بهترین قیمت سرور اچ پی،کمترین قیمت سرور اچ پی، تجهیزات سرور اچ پی، هارد sas، هارد سرور اچ پی، رم سرور اچ پی، پاور سرور اچ پی، سوئیچ 2960 سیسکو،لینک فروش سوئیچ های سیسکو، سوئیچ سیسکو ریفر، قیمت سوئیچ سیسکو، قیمت سوئیچ سیسکو ریفر، قیمت سوئیچ سیسکو نیو،سیسکو، بهترین قیمت سوئیچ سیسکو، سوئیچ شبکه سیسکو، ماژول سیسکو، ماژول استک سیسکو، stack ماژول، sfp ماژول، اکتیو شبکه، پسیوشبکه، زیرساخت شبکه، کابل کشی شبکه، پیمانکار شبکه، فروش تجهیزات شبکه